OSRAM створює свої перші InGaN LED чіпи на силіконовій підкладці

Спеціалісти компанії OSRAM Opto Semiconductors досягли вражаючих результатів у створенні нових технологій світлодіодних компонентів. Виготовлені і протестовані перші світлодіодні кристали, світловипромінюючий шар яких виращений з нітріду галлия на пластинах із кремнія діаметром 150 мм. Кремній став альтернативою сапфіру, що зазвичай використовується в якості підкладки. 

Іспити, що проведені на дослідних зразках, підтвердили високу якість і надійність таких світлодіодів.

Характеристики отриманих кремнієвих кристалів відповідають кристалам на базі сапфіру: сині кристали, які виготовлені за технологіями UX:3, в світлодіодному корпусі Golden Dragon Plus досягли максимальної яскравості на 634 мВт при напруги 3.15 В, що еквівалентно ефективності у 58%. У поєднанні зі звичайним люмінофором в стандартному корпусі ці прототипи забезпечують світловий потік у 140 лм при струмі 350 мА з ефективністю 127 лм/Вт (для білого 4500 K).

Використання кремнієвих пластин більшого діаметру для виробництва світлодіодів дозволить зробити світлодіодні продукти значно дешевше, зберігаючи при цьому, попередній рівень якості! 

Подальше збільшення діаметру кремнієвих пластин дозволить ще більше знизити витрати на виробництво світлодіодів: дослідникі вже продемонстрирували перші структури на 200-мм підкладках. 

Докладніше...