OSRAM создает свои первые InGaN LED чипы на силиконовой подложке

Специалисты компании OSRAM Opto Semiconductors добились впечатляющих результатов в создании новых технологий светодиодных компонентов. Изготовлены и протестированы первые светодиодные кристаллы, светоизлучающий слой которых выращен из нитрида галлия на пластинах из кремния диаметром 150 мм. Кремний стал альтернативой сапфиру, используемому в качестве подложки.

Испытания, проведенные на опытных образцах, подтвердили высокое качество и надежность таких светодиодов.

Характеристики полученных кремниевых кристаллов соответствуют кристаллам на базе сапфира: синие кристаллы, изготовленные по технологии UX:3, в стандартном светодиодном корпусе Golden Dragon Plus достигли максимальной яркости на 634 мВт при напряжении 3.15 В, что эквивалентно эффективности в 58%. В сочетании с обычным люминофором в стандартном корпусе эти прототипы обеспечивают световой поток в 140 лм при токе 350 мА с эффективностью 127 лм/Вт (для белого 4500 K).

Использование кремниевых пластин большого диаметра для производства светодиодов позволит сделать светодиодные продукты значительно дешевле, сохранив, при этом, прежний уровень качества!

Дальнейшее увеличение диаметра кремниевых пластин позволит еще больше снизить затраты на производство светодиодов: исследователи уже продемонстрировали первые структуры на 200-мм подложках. 

Подробнее здесь